申請號: 201510714720.9
       申請日: 2015.10.29
       國家/省市: 中國河南(41)
       公開號: 105198480A
       公開日: 2015.12.30
       主分類號: C04B 38/00(2006.01)
       分類號: C04B 38/00(2006.01); C04B 35/58(2006.01)
       申請人: 中原工學院
       發明人: 張小立; 劉芳; 張艷麗; 劉英; 穆云超; 范積偉; 陳靜; 郭校歌; 王明穩; 宋林坤
       代理人: 張紹琳 張真真
       代理機構: 41125
       申請人地址: 河南省鄭州市新鄭雙湖經濟技術開發區淮河路1號

       摘要： 本發明涉及一種二硅化鉬/碳化硅復合多孔陶瓷的制備方法。該方法使用Mo、Si、C、SiC及B元素粉模壓成型，通過調整真空度并熔滲Si進行燒結，獲得MoSi2/SiC復合多孔陶瓷，所得材料孔隙率穩定保持在50%或以上。該方法補充了現有多孔材料品種，和現有多孔陶瓷相比，獲得了更高使用溫度和抗氧化性能環境下使用的多孔陶瓷品種，該法工藝簡單，可規模生產。

       主權利要求 1.一種二硅化鉬/碳化硅復合多孔陶瓷的制備方法，其特征在于，它的步驟如下：（1）將Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉球磨混料，所述Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉的重量比為50-80：20-35：1-10：1-30：1-5，混合時間為12-72hr，加入Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉總重量5-17%的粘結劑，并模壓成型，得到坯料；（2）將坯料室溫晾干，然后入烘箱烘干1-72hr；（3）將烘干后的坯料移入鋪有Mo粉、Si粉、C粉、SiC粉及B粉總重量2-20%的金屬Si粉的真空燒結爐中，保持真空度在10-2-10-3Pa，升溫速率為2-6℃/min；（4）在1100-1480℃保溫10-60min，并降低真空度≥10-1Pa保持；升溫至1500-1650℃保溫10-60min，并降低真空度≥10-1Pa保持；升溫至1650-1700℃保溫10-40min，提高真空度≤10-2Pa保持，冷卻后獲得MoSi2/SiC復合多孔陶瓷。