國際領先的照明廠商科銳（CREE）宣布推出了第二代碳化硅（SiC）MOSFET產品。新產品能夠在更小的尺寸上提供高效率的照明。

　　第二代的MOSFET產品提供業界領先的能源轉換效率，而在同樣的發光效率下其成本只有科銳前一代MOSFET產品的一半。從性價比來看，新型的MOSFET產品是更小尺寸以及更輕量化的選擇，其碳化硅系統通過提高效率來降低成本，協助OEM客戶降低系統成本，并為終端客戶節省額外的花費。

       德國弗萊堡（Freiburg）行內著名的Fraunhofer研究院（Fraunhofer-Institute）專家Bruno Burger博士表示：“我們已經在先進的太陽能電路中采用科銳第二代碳化硅功率MOSFET進行評估。它們擁有最好的效率，并能讓系統在較高切換頻率時運作，從而實現尺寸更小的被動元件，尤其是更小的電感器。這樣大大提高了太陽能逆變器的成本/效能折衷，有助開發更小、更輕及更高效的系統。”

　　科銳功率及射頻事業部副總裁及總經理Cengiz Balkas表示：“有了這個新MOSFET平臺，我們在多個領域上都贏得客戶的導入設計。由于第二代SiC MOSFET受到迅速接納，我們不但提前為幾家客戶量產出貨，而且我們也正在依客戶要求加速量產。”

　　科銳現提供額定電阻為25毫歐姆及80毫歐姆的晶粒，前者作為50安培基本組件用于高功率模組；而80毫歐姆導功率MOSFET則采用TO-247封裝，以優越性能及較低成本，取代科銳第一代產品CMF20120D。封裝元件可通過代理商DigiKey、Mouser和Farnell公司即可購得。