近期在國內資本市場上，最引人關注的板塊概念非第三代半導體莫屬。第三代半導體為啥火了？除了一些可能出臺的政策助推外，關鍵在于第三代半導體材料研發為我國半導體產業實現“彎道超車”提供了機遇。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的物理特性更優異，在光電子、電力電子、微波射頻等領域將發揮更大作用。隨著我國5G等新一代通信技術快速發展，第三代半導體材料應用將駛上快車道。

談到第三代半導體，揚杰科技近年來在相關領域取得了一定成績。作為半導體產業集設計、制造和銷售于一體的集成電路系統集成服務商（IDM），江蘇揚州揚杰電子科技股份有限公司多年位列中國功率半導體公司前列，該公司各類電力電子器件芯片、功率二極管等廣泛應用于5G、電力電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領域。尤其在第三代半導體材料氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等中高端功率芯片、器件領域，揚杰科技聯合北京大學、電子科技大學等高校，取得重大技術突破，填補了同類產品在國內的空白。

今年4月份，揚杰科技功率半導體器件及集成電路封裝測試項目主體工程在揚州開工，該項目總投資30億元，通過建設高水平智能終端用超薄微功率半導體芯片封測基地，實現高端功率半導體自主生產。

揚杰科技總經理劉從寧介紹，為加快關鍵核心技術攻關，揚杰科技近3年累計研發投入2.73億元，實現了從芯片制造到器件IDM垂直整合，目前已擁有各類授權專利273件，發明專利46件。