近年來，以第三代半導體材料為基礎的新興技術正迅速崛起，碳化硅由于具有寬帶隙、低電阻、良好的導熱性和導電性等一系列優點使其可以作為第三代半導體材料的代表成為全球半導體市場爭奪的焦點，作為耐高溫高頻的器件廣泛的應用于LED燈、集成電路和逆變器中。隨著信息技術和科技的不斷進步，市場上對碳化硅的表面平整度提出了更高的要求，工業要求最終的碳化硅晶圓表面光滑平整無缺陷，而傳統的工藝如機械拋光和化學拋光，前者單純利用簡單的機械研磨，后者僅依靠腐蝕劑的化學反應，兩者都會對晶圓表面造成損傷。目前，唯一能解決這個難題的就是將二者結合起來——化學機械拋光技術（CMP）。

       化學機械拋光技術是目前集成電路芯片全局平面化的最好方法。該技術將拋光液漿料的化學作用和漿料中磨粒的機械磨削作用緊密地結合在一起，整平拋光片表面，因此，拋光液是CMP技術中的關鍵因素。拋光液主要由磨料、溶劑和添加劑組成，其中磨料的種類、硬度、形貌、大小、粒度分布會影響到拋光質量的好壞，比如磨料的硬度過大、形貌不規則會引起CMP過程中機械作用的比重增大，堅硬的、形貌不規則的磨料與被拋光工件的表面接觸，雖然會使得材料去除效率大幅度增加，但工件表面會出現較多的劃傷、坑洼等不平坦現象，使得表面粗糙度較大。

       目前市場上使用最為廣泛的幾種磨料是SiO2、CeO2、Al2O3。SiO2拋光液選擇性、分散性好，機械磨損性能較好，化學性質活潑，并且后清洗過程處理較容易；缺點為在拋光過程中易產生凝膠，對硬底材料拋光速率低；CeO2拋光液的優點是拋光速率高，材料去除速率高，缺點是黏度大、易劃傷，且選擇性不好，后續清洗困難；Al2O3拋光液的缺點在于選擇性低、分散穩定性不好、易團聚等，但對于硬底材料襯底等卻具有優良的去除速率。隨著LED、第三代半導體的發展，Al2O3在CMP中的應用顯得更為重要。

       前面我們說到磨料的形貌、大小、粒度分布等會影響到拋光質量的好壞，對研磨拋光所用的高純氧化鋁而言，利用不同制備方法所得的氧化鋁性質也不盡相同。目前，水解法、溶膠凝膠法等液相法是制備高品質高純氧化鋁的常用方法，這些方法往往最終需要對中間產物進行高溫煅燒，煅燒工藝對最終產品的性能同樣有一些微妙的影響，并最終影響拋光效果。