近日，中科院長春應(yīng)用化學研究所在“高質(zhì)量無機納米晶制備及性能研究”方面取得新進展，榮獲2009年度吉林省科技進步一等獎。
　　無機納米晶是納米材料中重要的一類，包括II-VI族半導體、金屬氧化物等多種材料，由于它們具有光、電、磁等功能而在發(fā)光顯示、太陽能電池、生物標記、磁記錄等許多領(lǐng)域展示了巨大的應(yīng)用前景。高質(zhì)量無機納米晶具有高結(jié)晶性、缺陷少、粒徑分布窄的特點，其制備對基礎(chǔ)研究和應(yīng)用領(lǐng)域都是非常重要的。
　　無機納米晶的主要制備技術(shù)包括金屬有機方法、溶膠-凝膠法、反相膠束法、水相法、水熱/溶劑熱法和共沉淀法等。經(jīng)典的金屬有機法可合成高質(zhì)量無機納米晶，但缺點是原料毒性大且不穩(wěn)定，污染環(huán)境，且實驗操作危險、重復性差。水相制備納米晶的方法操作簡單，可重復性高，不使用危險性大的化學試劑，但制備的納米晶由于反應(yīng)溫度較低內(nèi)部和外部缺陷多，而結(jié)晶性較差，且尺寸分布寬，對II-VI族半導體而言，導致發(fā)光效率較低。
　　長春應(yīng)化所以扎實的科研積累，針對無機納米晶制備方法存在的問題，從1998年起探索了多種制備方法，尤其是發(fā)展了反應(yīng)條件溫和、實驗重復性好的兩相法、兩相熱法合成多種類形的高質(zhì)量納米晶，包括II-VI族半導體和金屬氧化物等，并深入研究了成核和生長動力學的規(guī)律。同時利用方法簡便、可大量制備的金屬有機改進法和模板法制備II-VI族半導體納米晶，獲得了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的納米材料制備技術(shù)。
　　兩相法在1994年首先用于金屬納米粒子制備，后來個別研究者認為，該方法不宜應(yīng)用在半導體納米晶的制備。長春應(yīng)化所在深入研究納米晶成核和生長動力學的基礎(chǔ)上，創(chuàng)新性地將兩相法（包括常壓和高壓）首先成功用于II-VI族半導體納米晶制備，之后拓展到金屬氧化物體系。創(chuàng)新點在于解決了成核和生長動力學過程的調(diào)控問題，使制備尺寸和形貌可控的高質(zhì)量納米晶成為現(xiàn)實。絕大多數(shù)樣品為單分散樣品，這些高質(zhì)量的納米晶為其性能研究奠定了基礎(chǔ)。
　　在該成果持續(xù)十年的研究中，共發(fā)表研究論文22篇，其中影響因子IF>3的11篇，IF>6的5篇，被他人正面引用總計230余次，授權(quán)中國發(fā)明專利12項，授權(quán)美國發(fā)明專利2項。自發(fā)展兩相法以來，帶動了國內(nèi)外其他研究小組利用該方法制備尺寸和形貌可控無機納米晶，發(fā)表了一些這方面的研究論文，該方法豐富了納米制備科學和技術(shù)，對推動其發(fā)展做出了貢獻。
　　
　　來源：長春應(yīng)用化學研究所