申請人:    山東天岳晶體材料有限公司    

發明人:    高超; 宗艷民; 朱燦; 李加林; 李長進

摘要：

本發明屬于新材料加工技術領域，發明人提供了一種全新的高純碳化硅粉料的制備方法，該方法以高純度硅烷和高純度碳粉為原料，搭配使用對應的多孔石墨坩堝和石墨托盤組，在惰性氣體的保護下可以獲得高純度的碳化硅粉料；采用這種方法，避免了其他物質帶入的雜質，通過純石墨制備的器具進行反應，在保證純度的同時達到了碳化硅粉料生產所需的條件，為高純度碳化硅粉料的生產提供了一種全新的路徑，填補了現有技術的空白。

主權利要求：

1.一種高純碳化硅粉料的制備方法，其特征在于：具體步驟如下：(1).將純度99.9999％及以上的高純碳粉分層置于多孔石墨坩堝內的每層石墨托盤上，每層碳粉的厚度為5-15mm，密封爐膛；(2).將爐膛真空抽至10-6mbar，同時將爐膛內溫度升至1800-2300℃，保持5-15h；(3).將爐膛溫度緩降至1500-1800℃，同時通入惰性保護氣體，并將爐膛壓力升至500-900mbar；(4).升壓結束后，向爐腔內持續通入高純硅烷直至反應結束；(5).反應過程中，保持爐膛內的壓力不變，同時將溫度緩慢升至1800-2300℃，使硅烷分解并與高純碳粉充分反應，反應時間為100-150h；(6).反應結束后，將溫度緩降至室溫，即可得到高純的碳化硅粉末；其所采用的加工設備具體結構如下：包括多孔的石墨坩堝以及內置的石墨托盤組，所述多孔的石墨坩堝包括坩堝蓋(1)和坩堝體(2)，所述坩堝蓋(1)和坩堝體(2)上均設置有通孔(3)；所述石墨托盤組由若干層石墨托盤(5)組成，所述石墨托盤(5)之間通過石墨托(4)承載；使用時將高純碳粉(6)分層置于每層石墨托盤(5)上，再將每層托盤通過石墨托(4)順次摞在一起，并將其整體放置在坩堝體(2)內，蓋上坩堝蓋(1)即可。

2.根據權利要求1所述的高純碳化硅粉料的制備方法，其特征在于：步驟(3)中的保護氣體選自氬氣或氦氣，氣體流量為100-500sccm。

3.根據權利要求1所述的高純碳化硅粉料的制備方法，其特征在于：步驟(4)中的硅烷選自甲硅烷SiH4或乙硅烷Si2H6，純度為99.9999％-99.9999999％。

4.一種高純碳化硅粉料的加工設備，其特征在于：具體結構如下：包括多孔的石墨坩堝以及內置的石墨托盤組，所述多孔的石墨坩堝包括坩堝蓋(1)和坩堝體(2)，所述坩堝蓋(1)和坩堝體(2)上均設置有通孔(3)；所述石墨托盤組由若干層石墨托盤(5)組成，所述石墨托盤(5)之間通過石墨托(4)承載。