目前全球L E D 產業初步形成以亞洲、北美和歐洲為區域中心，以日亞、豐田合成、科銳、Lumileds、歐司朗為專利核心的技術格局。五大企業之間通過交互授權避免專利糾紛，其他企業則主要通過單向授權獲得專利許可。國內LED相關專利相對薄弱，申請數量雖然眾多，核心技術專利較少。近年來LED企業對專利重視加強，專利糾紛訴訟愈演愈烈，值得業界重點關注。

       外延襯底專利技術

       在外延襯底方面，目前量產的有藍寶石襯底、碳化硅襯底和硅襯底技術。其中藍寶石襯底技術最早由日亞提出并申請相關專利，現在大多數廠家都采用藍寶石襯底制造LED GaN外延片。在藍寶石外延方面，一個重要的專利是日亞的PSS專利，在襯底表面部分形成PSS結構對發光區產生的光進行散射，同時防止在半導體層上產生晶體缺陷，另外關于緩沖層的專利在外延層的生長過程中具有重要的意義。

       碳化硅襯底外延技術主要為美國科銳公司采用產，處于壟斷的地位，加上碳化硅襯底價格昂貴，幾乎沒有其他企業涉足。硅襯底GaN L E D 最早由晶能光電進行批量生產，并形成了系列的專利技術，由于硅襯底在價格和散熱等方面的優勢，后續包括東芝、三星、普萊思等公司也在積極研發和投入。隨著硅襯底LED技術的不斷成熟，襯底向6寸和8寸等大尺寸襯底轉移，成本不斷降低，市場規模越來越大，未來的襯底方面的專利糾紛也會從籃寶石襯底逐步轉向硅襯底。

       芯片專利技術

       芯片制造工藝涉及大量的專利。除了傳統的正裝芯片外，未來具有重要意義的芯片還包括垂直結構芯片和倒裝芯片等。傳統正裝芯片有大量的專利，其中最突出的有透明電極專利和退火專利等。

       在垂直結構芯片方面，國際廠商之間已經開始進行激烈競爭。科銳公司曾在美國指控旭明公司生產、銷售的金屬基板垂直結構LED侵犯了其持有的六項專利，并最終迫使旭明同意停止在美國進口和銷售涉訴產品。在垂直結構芯片中，激光剝離的專利也非常重要，隨著垂直結構芯片市場的不斷擴大，該專利的侵權風險會不斷增大。

       近來中大功率倒裝芯片正成為半導體照明市場的重要產品和技術。在倒裝芯片技術中，銀反射鏡技術是必不可少的技術，歐司朗和Lumileds比較早就使用銀作為反射鏡。各企業使用銀反射技術方面都有一定的差異性，但市場上倒裝結構芯片一般都采用了銀基反射鏡。

       與銀反射鏡技術相關聯的是阻擋層技術，大多數使用銀反射鏡的公司不可避免地采用阻擋層技術。對于銀反射鏡采用鈦鎢阻擋層，歐司朗和科銳公司都有相關專利。

       Lumileds在制備垂直結構芯片時同樣采用了鈦鎢作為阻擋層，這些專利的存在也是有可能會有產生侵權風險。

       目前主要公司使用的新一代倒裝技術中，有一個重要特征是采用開孔技術，最早由Lumileds發明并采用，通過開孔工藝可以將N型氮化鎵層引出到芯片的外面，與P電極在同一平面?，F在廣泛采用的開孔技術是在該專利的基礎上繼續發展而來。

       熒光粉和白光專利技術

       日亞的白光專利是白光LED領域的基礎專利，應用范圍非常廣泛，幾乎涉及白光L E D 的所有應用。該項專利技術已于全球27個國家取得專利，曾被多家廠商提起無效，但均未成功。日亞在2004-2010年間，對多家公司在美國加州地方法院、美國德州東區地方法院等地提起針對該專利的侵權訴訟。雖然日亞YAG專利即將到期，但其還存在一些后續申請專利。

       目前Intematix采用了不同的技術制備了新型熒光粉，其產品在國內廠家使用非常普遍。國內廠家普遍采用從一流的熒光粉廠家購買熒光粉，并且和供應商簽訂專利保證協議從而規避專利的風險。同時，為了規避出口過程中專利的風險，國內封裝廠家用于出口的產品一般傾向于選擇具有自主知識產權的LED芯片。

       目前日本、美國、歐洲等國的相關企業在LED專利上基本上處于壟斷地位，雖然新技術不斷涌現會逐步打破壟斷，但全球半導體照明產業的格局已經基本成形。

       一般而言，國際大廠之間已經就專利問題進行了交叉許可，相互之間已經不會進行專利訴訟，專利訴訟只是針對其它的企業。國內企業要不斷學習創新，開發出自己的核心技術，取得良好的技術效果，從而可以規避對方的技術，同時形成自身獨特的技術路線，從而在世界LED格局中取得一席之地。