10月27日，《廣州開發區 廣州市黃埔區促進集成電路產業發展辦法》今日印發。其中提出，鼓勵發展大硅片、光掩膜、電子氣體、光刻膠、拋光材料、高純靶材、光芯片等高端半導體制造材料，支持清洗設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入、沉積設備、封裝設備（劃片機、減薄機、引線鍵合機、倒裝鍵合機及貼片機等）、檢測設備（測試機、探針臺等）以及單晶生長爐、外延生長爐等設備、關鍵零部件及工具國產化替代。

對當年產值首次達到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料、零部件類企業，經認定，分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持，同一企業按差額補足方式最高扶持500萬元。

廣州市黃埔區工業和信息化局 廣州開發區經濟和信息化局關于印發廣州開發區 廣州市黃埔區促進集成電路產業發展辦法的通知

區各有關單位：

《廣州開發區 廣州市黃埔區促進集成電路產業發展辦法》業經廣州開發區管委會、黃埔區政府同意，現印發實施。執行過程中如遇問題，請徑向區工業和信息化局反映。

特此通知。

廣州市黃埔區工業和信息化局 廣州開發區經濟和信息化局

2023年10月27日

廣州開發區 廣州市黃埔區促進集成電路產業發展辦法

第一條【目的】為深入貫徹習近平總書記關于“要聚焦集成電路等重點領域，加快鍛造長板、補齊短板，培育一批具有國際競爭力的大企業和具有產業鏈控制力的生態主導型企業，構建自主可控產業生態”的重要指示精神，大力實施“廣東強芯”工程、“制造強市”以及黃埔區“四個萬億”計劃。根據《新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策》（國發〔2020〕8號）、《廣東省培育半導體及集成電路戰略性新興產業集群行動計劃（2021-2025年）》（粵發改產業〔2020〕338號）、《廣州市加快發展集成電路產業的若干措施》（穗工信規字〔2020〕4號》等文件精神，結合本區實際，助力打造中國集成電路第三極核心承載區，制定本辦法。

第二條【適用范圍】本辦法適用于注冊登記地、稅務征管關系及統計關系在廣州開發區、廣州市黃埔區及其受托管理和下轄園區（以下簡稱本區）范圍內，有健全財務制度、具有獨立法人資格（單獨入統的分公司視同具有獨立法人資格）、實行獨立核算、符合信用管理相關規定的集成電路企業。

本辦法所稱的集成電路企業是指專門從事集成電路設計、芯片架構設計、EDA及IP開發設計、生產、先進封裝測試、裝備、材料和零部件等經營活動的相關企業。

第三條【推進產業鏈強化優化】在CPU（中央處理器）、GPU（圖形處理器）、MCU（微處理器）、FPGA（現場可編程門陣列）、存儲、AI算法等高端數字芯片，電源管理、顯示驅動、射頻通信、光通信、ADC/DAC（模數轉換）等高端模擬芯片等領域，培育和引進一批具有自主知識產權和行業影響力的高端芯片設計企業。對當年主營業務收入首次達到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路設計企業，經認定，分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持，同一企業按差額補足方式最高扶持500萬元。

鼓勵企業自主開展基于新器件、新材料、新工藝的ARM、X86及RISC-V芯片架構、EDA及IP研發設計。對當年主營業務收入首次達到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路ARM、X86及RISC-V芯片架構、EDA及IP研發設計企業，經認定，分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持，同一企業按差額補足方式最高扶持500萬元。

對主營業務收入連續兩年均1億元以上，且第二年主營業務收入同比增長30%及以上但尚未達到下一檔扶持條件的集成電路設計企業、ARM、X86及RISC-V芯片架構、EDA及IP研發設計企業，經認定，給予20萬元的扶持，享受本款扶持后企業達到下一檔扶持條件的，按差額補足方式給予下一檔扶持。

鼓勵發展大硅片、光掩膜、電子氣體、光刻膠、拋光材料、高純靶材、光芯片等高端半導體制造材料，支持清洗設備、光刻機、刻蝕設備、離子注入、沉積設備、封裝設備（劃片機、減薄機、引線鍵合機、倒裝鍵合機及貼片機等）、檢測設備（測試機、探針臺等）以及單晶生長爐、外延生長爐等設備、關鍵零部件及工具國產化替代。對當年產值首次達到2000萬元、5000萬元、1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路裝備、材料、零部件類企業，經認定，分別給予20萬元、50萬元、100萬元、200萬元、300萬元、500萬元的扶持，同一企業按差額補足方式最高扶持500萬元。

支持12英寸先進SOI工藝研發，建設FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）工藝研發線、RF-SOI（射頻絕緣體上硅）工藝生產線、半導體激光器工藝研發線和生產線，布局碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體襯底、外延片等產線。對當年產值首次達到5億元、10億元、20億元的集成電路生產企業，經認定，分別給予100萬元、200萬元、400萬元的扶持，同一企業按差額補足方式最高扶持400萬元。

建設系統級封裝、晶圓級封裝等高端封裝技術生產線，支持開發2.5D/3D異質集成、chiplet（芯粒）等先進封裝技術。對當年產值首次達到1億元、3億元、5億元、10億元的集成電路先進封裝測試企業，經認定，分別給予50萬元、100萬元、200萬元、300萬元的扶持，同一企業按差額補足方式最高扶持300萬元。（責任單位：區工業和信息化局）

第四條【突破產業關鍵核心技術】對企業研發多項目晶圓（MPW）直接費用、購買光罩（MASK）直接費用和工程片、試流片加工費用的40%給予補貼（相關費用按照不含稅計算），每家企業每年累計最高補貼500萬元。（責任單位：區科技局）

對企業專業從事ARM、X86及RISC-V芯片架構、EDA及IP開發設計的，對加計扣除后的研發費用按30%的比例給予扶持，每家企業每年累計最高補貼500萬元。（責任單位：區工業和信息化局）

第五條【支持國產化自主創新】對區內集成電路企業自行采購符合要求的非關聯集成電路企業或機構自主研發設計的光刻、沉積、刻蝕、量測四類設備，且新購置單臺（套）設備價值超過500萬元的，經認定，每單給予25萬元補貼，每家企業每年最高補貼50萬元。

對區內集成電路企業自行采購符合要求的非關聯集成電路企業或機構自主研發設計的EDA工具及IP授權，且年采購金額累計50萬元以上的，經認定，按其當年實際采購金額的10%給予補貼，每家企業每年最高補貼50萬元。（責任單位：區工業和信息化局）

第六條【加大投早投小投科技力度】鼓勵國企基金重點圍繞我區集成電路產業，聚焦產業鏈、創新鏈的關鍵環節、薄弱環節，著眼關鍵共性技術、前沿引領技術和顛覆性技術突破，加大投資布局，充分發揮基金投資的資金支持、招商帶動作用，吸引集聚優質科技型集成電路領域中小企業落戶。（責任單位：各區屬國企）

對積極投向區內科技型集成電路中小企業的國企基金予以大力支持。（責任單位：區國資局）

第七條【強化基礎設施保障】對于集成電路重大戰略性項目，其用地、籌建、供電、供水、排污等基礎設施建設問題，由所在街道、管委會，行業主管部門以及相關職能部門和單位綜合研究依法給予大力保障。

第八條【打造人才高地】加強對集成電路人才的扶持力度，對符合我區人才標準的集成電路人才，按照相關人才政策措施給予大力支持。

第九條【重點扶持】對地方產業生態集聚帶動性強、貢獻性大的集成電路領域重大戰略項目，經管委會、區政府同意，另行予以重點扶持。

第十條【附則】符合本辦法規定的同一項目、同一事項同時符合本區其他扶持政策規定（含上級部門要求區里配套或負擔資金的政策規定）的，按照從高不重復的原則予以支持，另有規定的除外。本辦法條款所涉及的金額均不含稅，獲得扶持的涉稅支出由企業或個人承擔。區內企業新設分支機構、變更名稱、分拆業務等不屬于本政策辦法扶持范疇。本辦法所涉及的財政資金專款專用，各責任單位適時制定實施細則，且實施細則范圍應結合我區工作重點予以確定，具體內容以當年發布的申報指南為準。其中，相關扶持獎勵補貼的比例和限額均為上限數額，并且其比例和金額受年度資金預算總量控制。

本辦法自印發之日起實施，有效期3年。