申請號: 201710725687.9

申請日: 2017.08.22

國家/省市:中國沈陽(89)

公開號: 107686369A

公開日: 2018.02.13

主分類號:C04B 38/02(2006.01)

分類號: C04B 38/02(2006.01); C04B 35/565(2006.01); C04B 35/622(2006.01); C04B 35/65(2006.01); C04B 35/634(2006.01); C04B 35/63(2006.01)

申請人: 東北大學

發明人: 馬北越; 張亞然; 李世明; 任鑫明; 張博文; 于景坤

代理人: 梅洪玉

代理機構:大連理工大學專利中心(21200)

申請人地址:遼寧省沈陽市和平區文化路三巷11號

摘要：一種用晶體硅的碳化硅切割廢料制備碳化硅多孔陶瓷的方法，屬于二次資源利用的技術領域。具體制備方法為：先將晶體硅碳化硅切割廢料進行預處理，除去聚乙二醇(PEG)和水，其次，根據晶體硅碳化硅切割廢料的組分摻入適量的碳粉；然后，以預處理后的切割廢料為原料，加入酚醛樹脂作為粘結劑，銨鹽作為造孔劑，碳粉為形成SiC的碳源，將混合料手磨混均；最后，在50～300MPa下干壓成型，于保護氣氛下在1200～1600℃下燒結2～8h制得碳化硅多孔陶瓷。該方法實現了晶體硅的碳化硅切割廢料的高效增值材料化利用，不僅變廢為寶，而且減少了環境污染。該方法操作簡單易行，便于工業化生產。 

主權利要求

一種用晶體硅的碳化硅切割廢料制備碳化硅多孔陶瓷的方法，其特征在于，按以下步驟進行：步驟1：原料預處理(1)將晶體硅碳化硅切割廢料進行煅燒、粉碎過篩處理，得到去除聚乙二醇(PEG)和水的切割廢料；(2)根據晶體硅碳化硅切割廢料的組分配比，配置碳粉；碳粉的使用量高于晶體硅碳化硅切割廢料與碳粉反應的消耗量；步驟2：混料：按照制備出的碳化硅多孔陶瓷性能要求，配置相關造孔劑，使之與原料混合均勻；造孔劑添加量為5％～60％；步驟3：制樣和燒結(1)將混勻的粉料干壓成型；成型壓力為50～300MPa；(2)將成型后試樣充分干燥后，置于高溫爐中，在保護氣氛下燒結并保溫一定時間；燒結溫度為1200℃～1600℃，燒結保溫時間為2～8h。