一、行業(yè)理解：
       化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）晶圓表面平整化是集成電路制造過程中的關(guān)鍵工藝。

       CMP工藝是將表面化學(xué)作用與機(jī)械研磨技術(shù)相結(jié)合，去除晶圓表面材料，達(dá)到晶圓表面高度平整的效果。

        CMP 平整處理工藝，使下一步的光刻工藝能夠進(jìn)行。CMP 主要工作原理是在一定壓力下和拋光液的存在下，拋光晶圓對(duì)拋光墊進(jìn)行相對(duì)運(yùn)動(dòng)。借助納米磨料的機(jī)械研磨效果和各種化學(xué)試劑的化學(xué)效果，拋光晶圓表面達(dá)到高度平整、低表面粗糙度和低缺陷的要求。

       二、事件驅(qū)動(dòng)：

       近日消息，受臺(tái)灣出口管制的制約，F(xiàn)ab1工廠所使用的DST slurry（型號(hào)為M2701505，由AGC-TW生產(chǎn)）將暫停供應(yīng)，庫存量?jī)H能滿足未來五個(gè)月的需求。為此，決定雙管齊下，同步實(shí)施兩大策略：

       1）著手驗(yàn)證Anji國產(chǎn)DST slurry的性能，當(dāng)前正處于e·Qual審核階段，由MQE對(duì)比COA數(shù)據(jù)；

       2）考慮將原材料產(chǎn)地從臺(tái)灣變更為日本（需通過PCN驗(yàn)證），目前MQE正與供應(yīng)商緊密協(xié)作。鑒于驗(yàn)證時(shí)間緊迫，后續(xù)將與PIE/QE團(tuán)隊(duì)展開一輪跨機(jī)溝通，確保順利過渡。

       此次遭遇斷供的DST slurry，源自日本旭硝子在臺(tái)灣的分支機(jī)構(gòu)AGC-TW，是CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）工藝不可或缺的關(guān)鍵耗材。CMP技術(shù)主要用于晶圓表面的平整化處理，在7nm以下的先進(jìn)制程中，對(duì)其純度的要求極高，需達(dá)到99.9999%以上。
       長期以來，CMP拋光液市場(chǎng)一直被美日企業(yè)牢牢把控，國產(chǎn)化率僅徘徊在25%-30%之間，而高端制程（例如28nm以下）的國產(chǎn)化率更是微乎其微。此次斷供事件，或許會(huì)成為推動(dòng)材料國產(chǎn)化的催化劑。此外，國產(chǎn)拋光液相較于進(jìn)口產(chǎn)品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)顯著，低出20%-30%。然而，短期內(nèi)供需失衡的現(xiàn)狀，也可能引發(fā)價(jià)格的急劇攀升！

       三、競(jìng)爭(zhēng)格局：

       當(dāng)前大陸地區(qū) CMP 拋光液仍主要依靠進(jìn)口，國內(nèi)替代空間廣闊。
       在全球范圍內(nèi)，CMP拋光液市場(chǎng)份額集中，主要被美國和日本企業(yè)壟斷，包括美國 Cabot Microelectronics、Versum 和日本的 Hitachi、Fujimi 等，其中：

       美國企業(yè) Cabot Microelectronics 占主要份額，占比 33%；

       日本公司在全球市場(chǎng)份額中排名第二，占23%（Hitachi、Fujimi）；

       從中大陸的角度來看，近年來，在國內(nèi)替代的背景下，國內(nèi)份額不斷上升，但美國企業(yè)的主要份額仍然存在 CabotMicroelectronics 未來，國內(nèi)制造商可能會(huì)加快材料的本地化進(jìn)程 CMP 拋光液領(lǐng)域有廣闊的替代空間。

       四、規(guī)模增長：

       根據(jù)TECHCET 數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021 年全球 CMP 拋光液市場(chǎng)規(guī)模為 18.9 億美元，同比增長 預(yù)計(jì)未來五年復(fù)合增長率為13% 6%。預(yù)計(jì)到 2026 全球拋光液市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)了年度實(shí)現(xiàn) 26 億美元。

       根據(jù)前瞻性產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，大陸晶圓廠預(yù)計(jì)將大幅擴(kuò)產(chǎn)，CMP 預(yù)計(jì)拋光液市場(chǎng)的增長速度將明顯高于全球市場(chǎng)，未來復(fù)合增長有望達(dá)到 2023年市場(chǎng)規(guī)模約為15% 23 億元，2028 年約達(dá) 46 億元，國內(nèi) CMP 拋光企業(yè)有望充分受益。

       五、需求增量：
       1.邏輯芯片工藝不斷升級(jí)，先進(jìn)工藝需要 CMP 拋光液的種類和用量大大提高。

       晶圓制造技術(shù)的升級(jí)與進(jìn)步 CMP 工藝步驟大幅增加，CMP 晶圓制造過程中拋光材料的消耗量增加。根據(jù) Cabot 14nm微電子數(shù)據(jù) 以下邏輯芯片工藝要求的關(guān)鍵 CMP 工藝將達(dá)到 20 步以上，需要 CMP 拋光液將從 90 五六種納米拋光液增加到二十多種，種類和用量迅速增加；7 納米及以下邏輯芯片技術(shù) CMP 可以實(shí)現(xiàn)拋光步驟 30 步，CMP 有近30種拋光液。目前，邏輯芯片是正的 7nm 以下先進(jìn)工藝發(fā)展，臺(tái)積電 5nm 產(chǎn)品已于 2020 今年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨，芯片工藝改進(jìn)后 CMP 拋光步驟會(huì)大幅增加，產(chǎn)品用量也會(huì)增加。

       2.隨著堆疊層數(shù)的增加，2.3DNAND存儲(chǔ)芯片成為市場(chǎng)的主流，CMP 拋光液需求同步增長。
       在存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域，3D NAND 將拋光步驟提高到 2D NAND 兩倍，還有 3D NAND 主要依靠堆疊來增加存儲(chǔ)容量，堆疊層數(shù)逐漸從 64 層提升至 128 層、192 層，CMP 工藝次數(shù)也隨之增加。未來 176 層以上的 3D NAND 晶圓產(chǎn)量比例將逐步增加，這將推動(dòng)鎢拋光液等拋光液需求的持續(xù)快速增長。根據(jù)公司 2023 在半年度報(bào)告中，鎢拋光液在儲(chǔ)存芯片領(lǐng)域的應(yīng)用范圍和市場(chǎng)份額繼續(xù)穩(wěn)步上升。基于氧化磚磨料的拋光液在中國領(lǐng)先的儲(chǔ)存客戶中不斷取得突破。許多新產(chǎn)品已經(jīng)完成了示范測(cè)試，并實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模生產(chǎn)和銷售。預(yù)計(jì)未來相關(guān)收入將繼續(xù)增長。

       六、全產(chǎn)業(yè)鏈：

       CMP 拋光液的主要原料包括研磨顆粒、各種添加劑和水，以研磨顆粒為核心原料。研磨顆粒主要由硅溶膠和氣相二氧化硅組成 CMP 拋光液的主要成分占成本的比例 50%以上。
       1.三XXX：

       日本全資子公司開發(fā)的鉆石研磨液(SiCP)是半導(dǎo)體工藝中的重要拋光耗材，主要用于藍(lán)寶石、碳化硅等材料的拋光。江蘇XX半導(dǎo)體材料半導(dǎo)體耗材子公司，部分品類產(chǎn)品少量供應(yīng)中X國J 旗下企業(yè)。公司半導(dǎo)體耗材業(yè)務(wù)發(fā)展順利，主要從事軟刀、硬刀、減薄砂輪、倒角砂輪、CMP-DISK等產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)銷售。

       2.鼎XXX：

       CMP拋光墊國內(nèi)供應(yīng)領(lǐng)先地位繼續(xù)鞏固CMP拋光墊產(chǎn)品在國內(nèi)市場(chǎng)的滲透性隨訂單增長穩(wěn)步加深，產(chǎn)品型號(hào)覆蓋率高，核心原材料獨(dú)立安全優(yōu)勢(shì)和成本優(yōu)勢(shì)明顯，CMP拋光液、清洗液系統(tǒng)CMP材料解決方案服務(wù)能力強(qiáng)，國內(nèi)供應(yīng)領(lǐng)先地位穩(wěn)定。未來，公司將繼續(xù)在當(dāng)?shù)赝赓Y和海外晶圓廠推廣客戶，擴(kuò)大硅晶圓和碳化硅拋光墊，努力開啟公司拋光墊業(yè)務(wù)的新市場(chǎng)增長曲線。

       3.安XXX ：

       國產(chǎn) CMP 拋光液龍頭企業(yè)繼續(xù)深耕半導(dǎo)體材料公司 2006 一直專注于年成立 CMP 目前，拋光液等半導(dǎo)體材料領(lǐng)域已發(fā)展成為大陸CMP拋光液的領(lǐng)頭羊，2021年 全球年安XXXCMP 拋光液市場(chǎng)占據(jù) 市場(chǎng)份額約5%。2020、2021年，安XXX分別占領(lǐng)大陸 CMP 拋光液市場(chǎng) 20.9%和 30.8%的份額，市場(chǎng)份額快速增長。未來，隨著下游晶圓廠供應(yīng)鏈安全要求的不斷提高，龍頭安XXX的份額有望繼續(xù)擴(kuò)大。